褚君浩，半导体物理和器件专家，中国科学院上海技术物理研究所研究员，现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任、《红外与毫米波学报》主编。2005年当选为中国科学院院士。1945年3月生于江苏宜兴。1966年毕业于上海师范学院物理系，1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位。1986－1988年在德国慕尼黑理工大学物理系洪堡研究员。1993-2003年担任红外物理国家重点实验室主任。担任上海市红外与遥感学会理事长，中国物理学会光物理专业委员会副主任，上海技术物理研究所－华东师范大学成像信息联合实验室共主任。他是第十届全国人大代表。

　　

　　褚君浩院士主要从事红外物理、窄禁带半导体以及铁电薄膜的材料器件物理的应用基础研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据；开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。2004年他评为国家重点实验室计划先进个人、国家973计划先进个人。他担任红外物理国家重点实验室主任期间，实验室在1997年和2002年国家评估中两次评为优秀。他是国家自然科学基金创新研究群体学术带头人。他曾经获得国家自然科学奖三次（1987年四等奖、1993年三等奖、2005年二等奖）、部委级自然科学奖或科技进步奖10次。美国学术界在评论褚君浩研究组的工作时写道：“现在他们不仅已经赶上世界，并且在一些领域走在前面”。褚君浩院士发表学报论文330余篇，出版《窄禁带半导体物理学》专着一本。关于碲镉汞本征吸收光谱等14项结果，被写入了《科学技术中的数据和函数关系》作为碲镉汞研究的标准数据和表达式。